Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

STW28N65M2

Name: STMicroelectronics STW28N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW28N65M2
Price: 4.2 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STW28N65M2

Fabr. N.º:

STW28N65M2

Fabr.:

STMicroelectronics

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 687 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	180 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	35 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	170 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Serie:	STW28N65M2
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	59 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13.4 ns
Peso unitario:	6 g