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STW24N60DM2

Name: STMicroelectronics STW24N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW24N60DM2
Price: 4.02 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STW24N60DM2

Fabr. N.º:

STW24N60DM2

Fabr.:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	18 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	200 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	29 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	SG
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.7 ns
Serie:	STW24N60DM2
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	6 g