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STW18N60DM2

Name: STMicroelectronics STW18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW18N60DM2
Price: 3.19 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STW18N60DM2

Fabr. N.º:

STW18N60DM2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos:

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	3,19 €	3,19 €
	1,75 €	17,50 €
	1,43 €	143,00 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	260 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	20 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	90 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	STW18N60DM2
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	9.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13.5 ns
Peso unitario:	6 g

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Hoja de datos

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EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-17 (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: Singapúr

El país puede cambiar en el momento del envío.

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