STU6N65M2-S

STMicroelectronics
511-STU6N65M2-S
STU6N65M2-S

Fabr.:

Descripción:
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
0,466 € 1.398,00 €
0,451 € 4.059,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
IPAK-3
N-Channel
1 Channel
650 V
2.5 A
1.35 Ohms
- 25 V, 25 V
2 V
9.8 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 20 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 7 ns
Serie: STU6N65M2
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 6.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 19 ns
Peso unitario: 2,274 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.