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STU3N65M6

Name: STMicroelectronics STU3N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU3N65M6
Price: 1.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STU3N65M6

Fabr. N.º:

STU3N65M6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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Ciclo de vida:

NRND:

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Hoja de datos:

STU3N65M6 Hoja de datos (PDF)

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,59 €	1,59 €
	1,01 €	10,10 €
	0,672 €	67,20 €
	0,55 €	275,00 €
	0,482 €	482,00 €
	0,443 €	1.329,00 €
	0,44 €	2.640,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-251-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.5 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.25 V
Qg (carga de compuertas):	6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M6
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	340 mg

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Hoja de datos

STU3N65M6 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de compuertas baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para lograr una alta eficiencia sobre topologías nuevas en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh de tecnología Super Junction ofrece un rendimiento de muy alta eficiencia, lo que conlleva una mayor densidad de potencia y una carga de compuertas baja para su uso con frecuencias altas. Los MOSFET de la serie M6 tienen una tensión de ruptura que va de 600 a 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaquetado, incluyendo una solución de paquete TO sin terminales (TO-LL), lo que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de tensiones de funcionamiento para aplicaciones industriales, como cargadores, adaptadores, módulos de cajas de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y solares.