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STS8DN6LF6AG

Name: STMicroelectronics STS8DN6LF6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STS8DN6LF6AG
Price: 1.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STS8DN6LF6AG

Fabr. N.º:

STS8DN6LF6AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET

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Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

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-,-- €

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-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,53 €	1,53 €
	0,98 €	9,80 €
	0,654 €	65,40 €
	0,517 €	258,50 €
	0,472 €	472,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,44 €	1.100,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	21 mOhms, 21 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	27 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	3.2 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	7 ns, 7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	20 ns, 20 ns
Serie:	STS8DN6LF6AG
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	56 ns, 56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.6 ns, 9.6 ns
Peso unitario:	750 mg

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EOL

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.