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STQ2HNK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ2HNK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ2HNK60ZR-AP
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STQ2HNK60ZR-AP

Fabr. N.º:

STQ2HNK60ZR-AP

Fabr.:

STMicroelectronics

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	1,26 €	1,26 €
	0,789 €	7,89 €
	0,523 €	52,30 €
	0,409 €	204,50 €
	0,372 €	372,00 €
Paquete Ammo completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	0,336 €	672,00 €
	0,30 €	1.200,00 €
	0,298 €	2.980,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-92-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	500 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	15 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Ammo Pack
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	50 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Serie:	STQ2HNK60ZR-AP
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	13 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10 ns
Peso unitario:	453,600 mg