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STP9NK70ZFP

Name: STMicroelectronics STP9NK70ZFP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP9NK70ZFP
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP9NK70ZFP

Fabr. N.º:

STP9NK70ZFP

Fabr.:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.75 V
Qg (carga de compuertas):	48 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	35 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia delantera: mín.:	5.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	17 ns
Serie:	STP9NK70ZFP
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	22 ns
Peso unitario:	2 g