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STP8N120K5

Name: STMicroelectronics STP8N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP8N120K5
Price: 4.95 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP8N120K5

Fabr. N.º:

STP8N120K5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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	3,96 €	39,60 €
	3,21 €	321,00 €
	2,87 €	1.435,00 €
	2,44 €	2.440,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	13.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	130 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	27 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Serie:	STP8N120K5
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15.5 ns
Peso unitario:	2 g

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STP8N120K5 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de alta tensión SuperMESH™

Los MOSFET de alimentación SuperMESH™ con protección Zener de STMicroelectronics representan una optimización extrema de la distribución PowerMESH™ basada en tiras estándar. Los MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics hacen bajar la resistencia de encendido de forma significativa a la vez que garantizan una muy buena capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Los dispositivos SuperMESH tienen una mínima carga de compuerta y su resistencia frente a avalanchas está probada al 100%, a la vez que ofrecen una mejora de la capacidad ESD y un nueva referencia de alta tensión. Estos MOSFET de STMicroelectronics están diseñados para ser utilizados en aplicaciones de conmutación.
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