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STP80N450K6

Name: STMicroelectronics STP80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N450K6
Price: 3.8 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP80N450K6

Fabr. N.º:

STP80N450K6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

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	2,05 €	20,50 €
	1,85 €	185,00 €
	1,52 €	760,00 €
	1,40 €	1.400,00 €
	1,37 €	3.425,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N-Channel Power MOSFET is a very high voltage N-channel Power MOSFET designed using the ultimate MDmesh K6 technology. This technology is based on 20 years of STMicroelectronics experience in super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.