STP80N340K6

STMicroelectronics
511-STP80N340K6
STP80N340K6

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,68 € 1.680,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
- 55 C
+ 150 C
115 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 4.9 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 34 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13 ns
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.