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STP45N10F7

Name: STMicroelectronics STP45N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP45N10F7
Price: 1.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP45N10F7

Fabr. N.º:

STP45N10F7

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A

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Descatalogado:

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Hoja de datos:

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 29/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,70 €	1,70 €
	0,822 €	8,22 €
	0,735 €	73,50 €
	0,584 €	292,00 €
	0,575 €	575,00 €
	0,549 €	1.098,00 €
	0,525 €	2.625,00 €
	0,511 €	5.110,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	45 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	18 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	25 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	17 ns
Serie:	STP45N10F7
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	24 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

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EOL

Product Discontinuation Notification 2026-3-27 (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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