STP200N3LL

STMicroelectronics
511-STP200N3LL
STP200N3LL

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,69 € 1,69 €
1,04 € 10,40 €
0,955 € 95,50 €
0,759 € 379,50 €
0,697 € 697,00 €
0,647 € 1.294,00 €
0,432 € 2.160,00 €
0,389 € 3.890,00 €
0,38 € 9.500,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
2.15 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
176.5 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 108 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 183 ns
Serie: STP200N3LL
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 90 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 18 ns
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo RDS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el RDS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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