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STP200N3LL

Name: STMicroelectronics STP200N3LL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP200N3LL
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP200N3LL

Fabr. N.º:

STP200N3LL

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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	1,69 €	1,69 €
	1,04 €	10,40 €
	0,955 €	95,50 €
	0,759 €	379,50 €
	0,697 €	697,00 €
	0,647 €	1.294,00 €
	0,432 €	2.160,00 €
	0,389 €	3.890,00 €
	0,38 €	9.500,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.15 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	53 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	176.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	108 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	183 ns
Serie:	STP200N3LL
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	90 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns
Peso unitario:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo R_DS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el R_DS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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