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STP16N65M2

Name: STMicroelectronics STP16N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP16N65M2
Price: 2.43 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP16N65M2

Fabr. N.º:

STP16N65M2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Plazo de producción de fábrica:: 14

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,43 €	2,43 €
	1,57 €	15,70 €
	1,12 €	112,00 €
	0,937 €	468,50 €
	0,793 €	793,00 €
	0,788 €	1.576,00 €
	0,776 €	3.880,00 €
25.000	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	11 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	360 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	19.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	110 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.2 ns
Serie:	STP16N65M2
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	36 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11.3 ns
Peso unitario:	2 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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