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STP150N10F7AG

Name: STMicroelectronics STP150N10F7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP150N10F7AG
Price: 3.71 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP150N10F7AG

Fabr. N.º:

STP150N10F7AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a

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	1,88 €	188,00 €
	1,58 €	790,00 €
	1,46 €	1.460,00 €
	1,38 €	3.450,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	110 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	117 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	250 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	33 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	57 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	72 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	33 ns
Peso unitario:	2 g

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.