Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

STP140NF55

Name: STMicroelectronics STP140NF55
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP140NF55
Price: 0.82 EUR
Availability: Discontinued

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STP140NF55

Fabr. N.º:

STP140NF55

Fabr.:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 11 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1000 Múltiples: 1000

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	55 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	142 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	45 ns
Transconductancia delantera: mín.:	100 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	150 ns
Serie:	STP140NF55
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	125 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	2 g