Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

STP110N8F6

Name: STMicroelectronics STP110N8F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP110N8F6
Price: 2.09 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STP110N8F6

Fabr. N.º:

STP110N8F6

Fabr.:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Existencias:: 1.602 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Las cantidades mayores que 1602 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Fabr.:

STMicroelectronics

Fabr. N.º:

STP100N8F6

Descripción:

MOSFET N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack

Comparar con pieza actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	110 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	150 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	200 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	48 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	61 ns
Serie:	STP110N8F6
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	162 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	2 g