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STP10NK60Z

Name: STMicroelectronics STP10NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP10NK60Z
Price: 3.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STP10NK60Z

Fabr. N.º:

STP10NK60Z

Fabr.:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	750 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	70 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	115 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia delantera: mín.:	7.8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	20 ns
Serie:	STP10NK60Z
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	55 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns
Peso unitario:	2 g