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STO450N6F7

Name: STMicroelectronics STO450N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO450N6F7
Price: 6.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STO450N6F7

Fabr. N.º:

STO450N6F7

Fabr.:

STMicroelectronics
STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	6,22 €	6,22 €
	4,60 €	46,00 €
	3,72 €	372,00 €
	3,31 €	1.655,00 €
	2,83 €	2.830,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)
	2,82 €	5.076,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-LL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	545 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	850 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	300 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	454 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	90 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	100 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	140 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	55 ns
Peso unitario:	697 mg

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.