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STO36N60M6

Name: STMicroelectronics STO36N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO36N60M6
Price: 5.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STO36N60M6

Fabr. N.º:

STO36N60M6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,55 €	5,55 €
	3,72 €	37,20 €
	2,68 €	268,00 €
	2,49 €	1.245,00 €
	2,31 €	2.310,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1800)
	2,31 €	4.158,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-LL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	99 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.75 V
Qg (carga de compuertas):	44.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	230 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5.3 ns
Serie:	MDmesh M6
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15.2 ns
Peso unitario:	76 mg

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PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de compuertas baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para lograr una alta eficiencia sobre topologías nuevas en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh de tecnología Super Junction ofrece un rendimiento de muy alta eficiencia, lo que conlleva una mayor densidad de potencia y una carga de compuertas baja para su uso con frecuencias altas. Los MOSFET de la serie M6 tienen una tensión de ruptura que va de 600 a 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaquetado, incluyendo una solución de paquete TO sin terminales (TO-LL), lo que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de tensiones de funcionamiento para aplicaciones industriales, como cargadores, adaptadores, módulos de cajas de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y solares.