STLD125N4F6AG

STMicroelectronics
511-STLD125N4F6AG
STLD125N4F6AG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 2.487

Existencias:
2.487 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 2487 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
2,76 € 2,76 €
1,81 € 18,10 €
1,28 € 128,00 €
1,09 € 545,00 €
0,989 € 989,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
0,907 € 2.267,50 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
2.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
91 nC
- 55 C
+ 175 C
130 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 220 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 300 ns
Serie: STLD125N4F6AG
Cantidad del paquete de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 255 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 47 ns
Peso unitario: 76 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo RDS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el RDS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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