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STL13N60DM2

Name: STMicroelectronics STL13N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL13N60DM2
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STL13N60DM2

Fabr. N.º:

STL13N60DM2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,39 €	2,39 €
	1,55 €	15,50 €
	1,07 €	107,00 €
	0,877 €	438,50 €
	0,859 €	859,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,802 €	2.406,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	350 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	19 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	52 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	10.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4.8 ns
Serie:	STL13N60DM2
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	42.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12.3 ns
Peso unitario:	76 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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