STL12N60M2

STMicroelectronics
511-STL12N60M2
STL12N60M2

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

Modelo ECAD:
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En existencias: 3.598

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
1,97 € 1,97 €
1,26 € 12,60 €
0,859 € 85,90 €
0,691 € 345,50 €
0,644 € 644,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,586 € 1.758,00 €
0,556 € 3.336,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
600 V
6.5 A
495 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 18 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 9.2 ns
Serie: STL12N60M2
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 9.2 ns
Peso unitario: 76 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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