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STL117N4LF7AG

Name: STMicroelectronics STL117N4LF7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL117N4LF7AG
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STL117N4LF7AG

Fabr. N.º:

STL117N4LF7AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i

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	2,23 €	2,23 €
	1,23 €	12,30 €
	1,14 €	114,00 €
	1,11 €	555,00 €
	0,998 €	998,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,567 €	1.701,00 €
	0,555 €	3.330,00 €
	0,538 €	4.842,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-5x6-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	119 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.5 V
Qg (carga de compuertas):	27.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	94 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	48.3 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	76 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo R_DS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el R_DS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
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