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STL110NS3LLH7

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Mouser REF:

511-STL110NS3LLH7

Fabr. N.º:

STL110NS3LLH7

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 120 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a PowerFLAT 5x6 package

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Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

STL110NS3LLH7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerFLAT-5x6-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.3 V
Qg (carga de compuertas):	13.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	75 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10.4 ns
Serie:	STL110NS3LLH7
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	31.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26.4 ns
Peso unitario:	76 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STMicroelectronics STripFET™ H7 MOSFETs

STMicroelectronics STripFET H7 series are optimized for high-density, high-performance power management systems. The STripFET H7 have low conduction losses for a better efficiency, and switching performance improvement (lower VDS spike and no HF ringing). This series of trench-gate low-voltage MOSFETs combine an extremely low on-resistance and ultra low capacitances with an optimized built-in Schottky diode for higher switching frequency operation.
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