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STH3N150-2

Name: STMicroelectronics STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH3N150-2
Price: 4.77 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STH3N150-2

Fabr. N.º:

STH3N150-2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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STH3N150-2 Hoja de datos (PDF)

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Pedido:: 1.000

Fecha prevista: 13/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 13

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	4,77 €	4,77 €
	3,41 €	34,10 €
	2,50 €	250,00 €
	2,48 €	1.240,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,09 €	2.090,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H2PAK-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.5 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	29.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	140 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerMESH
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	61 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	47 ns
Serie:	STH3N150-2
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Peso unitario:	4 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

STH3N150-2 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.