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STH275N8F7-2AG

Name: STMicroelectronics STH275N8F7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH275N8F7-2AG
Price: 5.81 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STH275N8F7-2AG

Fabr. N.º:

STH275N8F7-2AG

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,81 €	5,81 €
	3,90 €	39,00 €
	2,83 €	283,00 €
	2,64 €	1.320,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,24 €	2.240,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	H2PAK-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	180 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	193 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	315 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	42 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	180 ns
Serie:	STH275N8F7-2AG
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	98 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	56 ns
Peso unitario:	4 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de alimentación STripFET™

Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son MOSFET mejorados que se benefician del último perfeccionamiento de la tecnología patentada STripFET™ de STMicroelectronics con una nueva estructura de compuerta. El MOSFET de alimentación STripFET™ resultante muestra la alta corriente y el bajo R_DS(activo) necesarios por las aplicaciones de conmutación de automoción e industriales como control de motor, UPS, convertidores CC/CC, vaporizadores de calentadores por inducción y solares. Los MOSFET de alimentación STripFET™ de STMicroelectronics cuentan con una carga de compuerta de conmutación muy baja, gran resistencia frente a avalanchas, bajas pérdidas de potencia en el control de compuerta y alta densidad de potencia. Estos MOSFET de alimentación STripFET™ son los MOSFET de alimentación con el R_DS(activo) más bajo, 30 V - 150 V, del mercado.
Más información

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.