STGYA75H120DF2

STMicroelectronics
511-STGYA75H120DF2
STGYA75H120DF2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l

Modelo ECAD:
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En existencias: 173

Existencias:
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Pedido:
600
Fecha prevista: 29/03/2027
Plazo de producción de fábrica:
14
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,52 € 7,52 €
4,82 € 48,20 €
4,32 € 518,40 €
3,84 € 1.958,40 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
MAX257-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
150 A
750 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 75 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 4,430 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.