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STGWA40M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA40M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA40M120DF3
Price: 5.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGWA40M120DF3

Fabr. N.º:

STGWA40M120DF3

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss

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Fecha prevista: 16/11/2026
Plazo de producción de fábrica:: 14

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,38 €	5,38 €
	3,05 €	30,50 €
	2,54 €	254,00 €
	2,25 €	1.350,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.85 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	80 A
Pd (disipación de potencia):	468 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	M
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	40 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	38 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics S Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed with an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics S Series 1200V IGBTs are tailored to maximize low-frequency industrial system efficiency. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.