STGW80H65DFB-4

STMicroelectronics
511-STGW80H65DFB-4
STGW80H65DFB-4

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT

Modelo ECAD:
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En existencias: 226

Existencias:
226 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,04 € 7,04 €
5,64 € 56,40 €
4,57 € 457,00 €
3,59 € 2.154,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
470 W
- 55 C
+ 175 C
STGW80H65DFB-4
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 600
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 4,430 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.