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RoHS

Fabr.	Fabr. N.º:	Cant.	Total ampliado

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STGW35HF60WDI

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Mouser REF:

511-STGW35HF60WDI

Fabr. N.º:

STGW35HF60WDI

Fabr.:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Alerta de envío:

Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Fabr.:

STMicroelectronics

Fabr. N.º:

STGWA20H65DFB2

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.9 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	60 A
Pd (disipación de potencia):	200 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	STGW35HF60WDI
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	4,430 g