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STGP8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGP8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP8M120DF3
Price: 4.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGP8M120DF3

Fabr. N.º:

STGP8M120DF3

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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Fecha prevista: 21/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 15

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,55 €	4,55 €
	3,03 €	30,30 €
	2,45 €	245,00 €
	2,18 €	1.090,00 €
	1,93 €	1.930,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.85 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	16 A
Pd (disipación de potencia):	167 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	M
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.:	8 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.