STGF6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF6M65DF2
STGF6M65DF2

Fabr.:

Descripción:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
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Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBT
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
24.2 W
- 55 C
+ 175 C
STGF6M65DF2
Tube
Marca: STMicroelectronics
Corriente continua del colector Ic Máx.: 12 A
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso unitario: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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