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STFU13N65M2

Name: STMicroelectronics STFU13N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFU13N65M2
Price: 2.17 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STFU13N65M2

Fabr. N.º:

STFU13N65M2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

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	0,703 €	703,00 €
	0,654 €	1.308,00 €
	0,639 €	3.195,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	430 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	17 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.8 ns
Serie:	STFU13N65M2
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	38 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Peso unitario:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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