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STF3N80K5

Name: STMicroelectronics STF3N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF3N80K5
Price: 1.81 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STF3N80K5

Fabr. N.º:

STF3N80K5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected

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	0,877 €	8,77 €
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	0,622 €	311,00 €
	0,569 €	569,00 €
	0,558 €	1.116,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	9.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	20 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.5 ns
Serie:	STF3N80K5
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	20.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.5 ns
Peso unitario:	2 g

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Hoja de datos

STF3N80K5 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alta tensión SuperMESH™

Los MOSFET de alimentación SuperMESH™ con protección Zener de STMicroelectronics representan una optimización extrema de la distribución PowerMESH™ basada en tiras estándar. Los MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics hacen bajar la resistencia de encendido de forma significativa a la vez que garantizan una muy buena capacidad de dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Los dispositivos SuperMESH tienen una mínima carga de compuerta y su resistencia frente a avalanchas está probada al 100%, a la vez que ofrecen una mejora de la capacidad ESD y un nueva referencia de alta tensión. Estos MOSFET de STMicroelectronics están diseñados para ser utilizados en aplicaciones de conmutación.
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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

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