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STF27N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STF27N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF27N60M2-EP
Price: 3.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STF27N60M2-EP

Fabr. N.º:

STF27N60M2-EP

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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	1,66 €	16,60 €
	1,50 €	150,00 €
	1,22 €	610,00 €
	1,13 €	1.130,00 €
	1,05 €	2.100,00 €
	1,03 €	5.150,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	163 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	33 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	30 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.3 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8.1 ns
Serie:	STF27N60M2-EP
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	55.6 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13.4 ns
Peso unitario:	2 g

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PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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