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STF22NM60N

Name: STMicroelectronics STF22NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF22NM60N
Price: 3.62 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STF22NM60N

Fabr. N.º:

STF22NM60N

Fabr.:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	16 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	220 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	44 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	30 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	STF22NM60N
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	74 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Peso unitario:	2 g