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STDRIVEG612QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG612QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG612QTR
Price: 4.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STDRIVEG612QTR

Fabr. N.º:

STDRIVEG612QTR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,22 €	4,22 €
	3,80 €	38,00 €
	3,26 €	81,50 €
	2,92 €	292,00 €
	2,44 €	610,00 €
	2,35 €	1.175,00 €
	1,87 €	1.870,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,58 €	4.740,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Gate Driver
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	1.8 A
Tensión del suministro - Mín:	10.3 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Tiempo de caída:	13 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de retraso de apagado máximo:	65 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	65 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Voltaje de salida:	520 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	65 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.8 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	STDRIVE

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.