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STDRIVEG611Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611Q
Price: 2.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STDRIVEG611Q

Fabr. N.º:

STDRIVEG611Q

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,67 €	2,67 €
	2,00 €	20,00 €
	1,83 €	45,75 €
	1,65 €	165,00 €
	1,51 €	377,50 €
	1,46 €	730,00 €
	1,44 €	1.440,00 €
	1,40 €	3.500,00 €
	1,38 €	6.762,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Tensión del suministro - Mín:	10.6 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
Voltaje de entrada - Máx:	20 V
Voltaje de entrada - Mín:	3.3 V
Tiempo de retraso de apagado máximo:	60 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	60 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Apagado:	No Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	4900
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Peso unitario:	44 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

STDRIVEG611Q Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.