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STDRIVEG600W

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Mouser REF:

511-STDRIVEG600W

Fabr. N.º:

STDRIVEG600W

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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STMicroelectronics

Fabr. N.º:

STDRIVEG600

Descripción:

Controlador de puerta High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	5.5 A, 6 A
Tensión del suministro - Mín:	4.75 V
Tensión del suministro - Máx:	20 V
Tiempo de establecimiento:	7 ns
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	STMicroelectronics
Voltaje de salida:	520 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.