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STDRIVEG211QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211QTR
Price: 3.46 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STDRIVEG211QTR

Fabr. N.º:

STDRIVEG211QTR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,46 €	3,46 €
	2,29 €	22,90 €
	2,08 €	52,00 €
	1,77 €	177,00 €
	1,68 €	420,00 €
	1,51 €	755,00 €
	1,41 €	1.410,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,20 €	3.600,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Tensión del suministro - Mín:	10.7 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Tiempo de caída:	11 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	45 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.