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STD9N65M2

Name: STMicroelectronics STD9N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD9N65M2
Price: 0.58 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STD9N65M2

Fabr. N.º:

STD9N65M2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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	0,579 €	5.790,00 €
25.000	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	900 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	10 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.6 ns
Serie:	STD9N65M2
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	22.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.5 ns
Peso unitario:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

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STD9N65M2 Hoja de datos (PDF)

PCN

MDmesh M2 Technology 8” Wafer Front-end Capacity Extension (PDF)

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

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