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STD80N240K6

Name: STMicroelectronics STD80N240K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N240K6
Price: 5.12 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STD80N240K6

Fabr. N.º:

STD80N240K6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 12/04/2027
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,12 €	5,12 €
	3,41 €	34,10 €
	2,64 €	264,00 €
	2,23 €	1.115,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,89 €	4.725,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	16 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	220 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	25.9 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	105 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	330 mg

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh™ K6 Power MOSFET offers an excellent R_DS(on) x area and a low total gate charge (Q_g), enabling high switching speeds and low losses. An integrated ESD protection diode increases the overall ruggedness of the STD80N240K6 MOSFET up to Human Body Model (HBM) Class 2. The MDmesh K6 MOSFETs have a reduced threshold voltage compared with the previous MDmesh K5 generation, enabling a lower driving voltage and thus reducing power losses and gaining efficiency mainly for zero-watt standby applications. The STD80N240K6 is optimized for lighting applications based on flyback topology, such as LED drivers and HID lamps. The device is also ideal for adapters and power supplies for flat-panel displays.