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STD2NK100Z

Name: STMicroelectronics STD2NK100Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD2NK100Z
Price: 2.74 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

511-STD2NK100Z

Fabr. N.º:

STD2NK100Z

Fabr.:

STMicroelectronics

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Pedido:: 1.474

Fecha prevista: 29/06/2026

5.000

Fecha prevista: 31/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,74 €	2,74 €
	1,77 €	17,70 €
	1,26 €	126,00 €
	1,02 €	510,00 €
	0,989 €	989,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,856 €	2.140,00 €
	0,835 €	4.175,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	1.85 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8.5 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	16 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	70 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperMESH
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	2.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.5 ns
Serie:	STD2NK100Z
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	41.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.2 ns
Peso unitario:	330 mg