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STD18N55M5

Name: STMicroelectronics STD18N55M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD18N55M5
Price: 3.43 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STD18N55M5

Fabr. N.º:

STD18N55M5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,43 €	3,43 €
	2,24 €	22,40 €
	1,60 €	160,00 €
	1,32 €	660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,12 €	2.800,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	550 V
Id: corriente de drenaje continuo:	13 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	240 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	31 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	90 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	330 mg

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Hoja de datos

STD18N55M5 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N

El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N deSTMicroelectronics depende de MDmesh™ V, una revolucionaria tecnología MOSFET de alimentación basada en un innovador proceso vertical patentado, que se combina con la conocida estructura de distribución horizontal PowerMESH ™ . El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N de STMicroelectronics cuenta con una resistencia de encendido extraordinariamente baja, que es incomparable entre otros MOSFET de alimentación a base de silicio, lo que le hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.