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STB80NF55-06-1

Name: STMicroelectronics STB80NF55-06-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB80NF55-06-1
Price: 3.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STB80NF55-06-1

Fabr. N.º:

STB80NF55-06-1

Fabr.:

STMicroelectronics

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Descatalogado:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-262-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	55 V
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	6.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	189 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	300 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	65 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	155 ns
Serie:	STB80NF55-06-1
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	125 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	27 ns
Peso unitario:	2,387 g