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STB38N65M5

Name: STMicroelectronics STB38N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB38N65M5
Price: 6.17 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STB38N65M5

Fabr. N.º:

STB38N65M5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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STB38N65M5 Hoja de datos (PDF)

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	6,17 €	6,17 €
	4,17 €	41,70 €
	3,07 €	307,00 €
	3,00 €	1.500,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,80 €	2.800,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	95 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	71 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	190 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9 ns
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	4 g

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Hoja de datos

STB38N65M5 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

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