Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

STB30N65M5

Name: STMicroelectronics STB30N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB30N65M5
Price: 5.99 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STB30N65M5

Fabr. N.º:

STB30N65M5

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

Complete su diseño

Hoja de datos:

STB30N65M5 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre STMicroelectronics STB30N65M5

En existencias: 1.000

Existencias:: 1.000 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Las cantidades mayores que 1000 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,99 €	5,99 €
	4,05 €	40,50 €
	3,01 €	301,00 €
	3,00 €	1.500,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	2,55 €	2.550,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	22 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	125 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	64 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	140 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	50 ns
Peso unitario:	4 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STB30N65M5 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N

El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N deSTMicroelectronics depende de MDmesh™ V, una revolucionaria tecnología MOSFET de alimentación basada en un innovador proceso vertical patentado, que se combina con la conocida estructura de distribución horizontal PowerMESH ™ . El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N de STMicroelectronics cuenta con una resistencia de encendido extraordinariamente baja, que es incomparable entre otros MOSFET de alimentación a base de silicio, lo que le hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Más información