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SCTWA10N120

Name: STMicroelectronics SCTWA10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA10N120
Price: 8.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-SCTWA10N120

Fabr. N.º:

SCTWA10N120

Fabr.:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Descatalogado:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	HiP-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	690 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	21 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	110 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	SCTWA10N120
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Peso unitario:	4,430 g