SCT30N120H

STMicroelectronics
511-SCT30N120H
SCT30N120H

Fabr.:

Descripción:
MOSFET de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm

Ciclo de vida:
Descatalogado:
Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.
Modelo ECAD:
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En existencias: 823

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
21,81 € 21,81 €
17,85 € 178,50 €
15,78 € 1.578,00 €
15,77 € 7.885,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
15,75 € 15.750,00 €
5.000 Cotización
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
45 A
90 mOhms
- 10 V, + 25 V
1.8 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
270 W
Enhancement
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 28 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento: 20 ns
Serie: SCT30N120H
Cantidad del paquete de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo típico de retraso de apagado: 45 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 19 ns
Peso unitario: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

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